VISHAY SI7615ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0035 ohm, -10 V, -400 mV
The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, adaptor switch and battery switch applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 52 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 52 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 1.12 mm
封装 PowerPAK-1212-8
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7615ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7613DN-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI7615ADN-T1-GE3和SI7613DN-T1-GE3的区别 |