SI5404BDC-T1-E3

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SI5404BDC-T1-E3概述

N 沟道 20 V 0.028 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - ChipFET-1206-8

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


e络盟:
VISHAY  SI5404BDC-T1-E3  MOSFET, N CHANNEL, 20V, 5.4A, CHIPFET-8


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin Chip FET T/R


富昌:
单 N 沟道 20 V 0.028 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - ChipFET-1206-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin Chip FET T/R


Newark:
# VISHAY  SI5404BDC-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 5.4 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 600 mV


SI5404BDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.3 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 7.50 A

上升时间 12 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

长度 3.1 mm

高度 1.1 mm

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI5404BDC-T1-E3
型号: SI5404BDC-T1-E3
描述:N 沟道 20 V 0.028 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - ChipFET-1206-8
替代型号SI5404BDC-T1-E3
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