N 沟道 20 V 0.028 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - ChipFET-1206-8
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
e络盟:
VISHAY SI5404BDC-T1-E3 MOSFET, N CHANNEL, 20V, 5.4A, CHIPFET-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin Chip FET T/R
富昌:
单 N 沟道 20 V 0.028 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - ChipFET-1206-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin Chip FET T/R
Newark:
# VISHAY SI5404BDC-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 5.4 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 600 mV
针脚数 8
漏源极电阻 0.022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.3 W
阈值电压 600 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 12 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 1206
长度 3.1 mm
高度 1.1 mm
封装 1206
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI5404BDC-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI5404BDC-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI5404BDC-T1-E3和SI5404BDC-T1-GE3的区别 |
NTHS5404T1G 安森美 | 功能相似 | SI5404BDC-T1-E3和NTHS5404T1G的区别 |