






N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and system power applications.
欧时:
### N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
Allied Electronics:
MOSFET, N-Ch, Vds 30V, Vgs +/- 20V, Rdson 20mohm, Id 10.9A, SO-8, Pd 5W
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
N 沟道 30 V 0.024 Ohm 5 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Newark:
# VISHAY SI4128DY-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 10.9 A, 30 V, 20 mohm, 10 V, 1 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 1 V
输入电容 435pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 435pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4128DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF9410PBF 英飞凌 | 功能相似 | SI4128DY-T1-GE3和IRF9410PBF的区别 |