VISHAY SI2314EDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 20 V, 33 mohm, 4.5 V, 950 mV
The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for LI-ion battery protection applications.
- .
- 3000V ESD protected
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
贸泽:
MOSFET 20V 4.9A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin TO-236 T/R
富昌:
单 N沟道 20 V 0.033 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TO-236
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 950 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 4.90 A
上升时间 1400 ns
下降时间 5900 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
高度 1.02 mm
封装 TO-236
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Portable Devices, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15