SI5406CDC-T1-GE3

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SI5406CDC-T1-GE3概述

VISHAY  SI5406CDC-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 12V, 6A, 1206

* Halogen-free * TrenchFET® Power MOSFET


贸泽:
MOSFET 12V 6.0A 5.7W 20mohm @ 4.5V


e络盟:
VISHAY  SI5406CDC-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 12V, 6A, 1206


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 6A 8-Pin Chip FET T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 6A 8-Pin Chip FET T/R


富昌:
单 N沟道 12 V 0.02 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - 1206-8 ChipFET


Newark:
# VISHAY  SI5406CDC-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 6 A, 12 V, 27 mohm, 8 V, 1 V


SI5406CDC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.3 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1100pF @6VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5406CDC-T1-GE3
型号: SI5406CDC-T1-GE3
描述:VISHAY  SI5406CDC-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 12V, 6A, 1206
替代型号SI5406CDC-T1-GE3
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