SISA12ADN-T1-GE3

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SISA12ADN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 28 W

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

封装 PowerPAK-1212-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SISA12ADN-T1-GE3
描述:VISHAY  SISA12ADN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.1 V

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