N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
**Features:
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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**
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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**
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* 100% Rg and UIS Tested**
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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**
Applications:
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* Switch Mode Power Supplies**
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* Personal Computers and Servers**
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* Telecom Bricks
* VRMs and POL
欧时:
### N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
N 沟道 30 V 0.021 Ohm 5 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 5W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4178DY-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.4 V
额定功率 5 W
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 405pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI4178DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4346DY-T1-E3 威世 | 类似代替 | SI4178DY-T1-GE3和SI4346DY-T1-E3的区别 |
SI9410BDY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI4178DY-T1-GE3和SI9410BDY-T1-GE3的区别 |