SI4178DY-T1-GE3

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SI4178DY-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


欧时:
### N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
N 沟道 30 V 0.021 Ohm 5 W 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 5W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4178DY-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.4 V


SI4178DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 5 W

漏源极电阻 0.017 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 405pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SI4178DY-T1-GE3
型号: SI4178DY-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,30V 至 50V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SI4178DY-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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