SIRA12DP-T1-GE3

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SIRA12DP-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,TrenchFET® Gen IV,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Synchronous Rectification**

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* High Power Density DC/DC**

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* VRMs and Embedded DC/DC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
Single N-Channel 30 V 4.3 mOhm TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R


SIRA12DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 31 W

阈值电压 1.1 V

输入电容 2070pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

热阻 4℃/W RθJC

输入电容Ciss 2070pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.25 mm

宽度 5.26 mm

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIRA12DP-T1-GE3
型号: SIRA12DP-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,TrenchFET® Gen IV,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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