





VISHAY SIA433EDJ-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -12A, -20V, 3.5W
**Features:
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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**
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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**
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* 100% Rg and UIS Tested**
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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**
Applications:
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* Switch Mode Power Supplies**
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* Personal Computers and Servers**
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* Telecom Bricks
* VRMs and POL
贸泽:
MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
富昌:
SIA 系列 P沟道 20 V 15 mΩ 19 W 表面贴装 MOSFET - SC-70-6L
Newark:
# VISHAY SIA433EDJ-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -12 A, -20 V, 18 mohm, -4.5 V, -500 mV
力源芯城:
-20V,-12A,P沟道功率MOSFET
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.5 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds -20.0 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids -12.0 A, -11.3 A, -11.3 mA
下降时间 3.5 µs
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 PowerPAK-SC70-6
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerPAK-SC70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17