SIA433EDJ-T1-GE3

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SIA433EDJ-T1-GE3概述

VISHAY  SIA433EDJ-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -12A, -20V, 3.5W

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


贸泽:
MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


富昌:
SIA 系列 P沟道 20 V 15 mΩ 19 W 表面贴装 MOSFET - SC-70-6L


Newark:
# VISHAY  SIA433EDJ-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -12 A, -20 V, 18 mohm, -4.5 V, -500 mV


力源芯城:
-20V,-12A,P沟道功率MOSFET


SIA433EDJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 6

漏源极电阻 0.018 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.5 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds -20.0 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids -12.0 A, -11.3 A, -11.3 mA

下降时间 3.5 µs

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

长度 2.05 mm

宽度 2.05 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-SC70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: SIA433EDJ-T1-GE3
描述:VISHAY  SIA433EDJ-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -12A, -20V, 3.5W

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