SIR836DP-T1-GE3

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SIR836DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.015 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 15.6 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 600pF @20VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3900 mW

封装参数

引脚数 8

外形尺寸

高度 1.04 mm

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIR836DP-T1-GE3
描述:N通道40 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 40-V D-S MOSFET

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