SI2319DS-T1-E3

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SI2319DS-T1-E3概述

VISHAY  SI2319DS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -40 V, 0.065 ohm, -10 V, -3 V

The is a -40V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

.
Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
P 沟道 40 V 3 A 82 mOhm 750 mW 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-23-3


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2319DS-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -3 A, -40 V, 0.065 ohm, 4.5 V, -3 V


儒卓力:
**P-CHANNEL-FET 3,0A 40V SOT23 **


力源芯城:
-40V,-3A,P沟道MOSFET


SI2319DS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.065 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

漏源极电压Vds -40.0 V

连续漏极电流Ids -3.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 470pF @20VVds

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

长度 3.04 mm

高度 1.02 mm

封装 TO-236

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI2319DS-T1-E3
型号: SI2319DS-T1-E3
描述:VISHAY  SI2319DS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -40 V, 0.065 ohm, -10 V, -3 V

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