VISHAY SUD50N04-8M8P-4GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 6.9 mohm, 10 V, 1.5 V
The is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for backlight inverter for LCD display, DC to DC converter and full bridge converter applications.
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- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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- 100% Rg Tested
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- 100% UIS Tested
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- PWM Optimised
针脚数 3
漏源极电阻 0.0069 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 48.1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2400pF @20VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 48.1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD8647L 飞兆/仙童 | 功能相似 | SUD50N04-8M8P-4GE3和FDD8647L的区别 |
AUIRFR3504Z 英飞凌 | 功能相似 | SUD50N04-8M8P-4GE3和AUIRFR3504Z的区别 |