VISHAY SI4435DDY-T1-E3. 场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4A
The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
Si4435DDY 系列 30 V 0.024 Ohm 表面贴装 P沟道 Mosfet - SOIC-8
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.1A; 2.5W; SO8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4435DDY-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -11.4 A, -30 V, 0.0195 ohm, -10 V, -3 V
力源芯城:
-30V,-11.4A,P沟道MOSFET
额定功率 2.5 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.0195 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 5 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -11.4 A
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4435DDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4953ADY-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI4435DDY-T1-E3和SI4953ADY-T1-GE3的区别 |
FDS4435BZ 飞兆/仙童 | 功能相似 | SI4435DDY-T1-E3和FDS4435BZ的区别 |
SI4435DDY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI4435DDY-T1-E3和SI4435DDY-T1-GE3的区别 |