SI4056DY-T1-GE3概述
VISHAY SI4056DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.1 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, telecom/server and synchronous rectification applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SI4056DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.7 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 900pF @50VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI4056DY-T1-GE3
型号： SI4056DY-T1-GE3
描述：VISHAY SI4056DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.1 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V