SIA415DJ-T1-GE3

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SIA415DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.051 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.5 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -12.0 A

输入电容Ciss 1250pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 SC-70

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA415DJ-T1-GE3
型号: SIA415DJ-T1-GE3
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 8.4A 6Pin PowerPAK SC-70 T/R

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