SI4436DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4436DY-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for CCFL inverter applications.

.: 100% Rg tested

.: 100% UIS tested

.: Optimized for low-side synchronous rectifier operation

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SI4436DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

输入电容Ciss 1100pF @30VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Industrial, Lighting

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4436DY-T1-GE3

型号： SI4436DY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

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替代型号SI4436DY-T1-GE3

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