SI9433BDY-T1-GE3

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SI9433BDY-T1-GE3概述

VISHAY  SI9433BDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V

The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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Halogen-free
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-55 to 150°C Operating temperature range

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
Si9433BDY 系列 20 V 6.2 A 0.040 Ohm 表面贴装 P沟道 MOSFET - SO-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI9433BDY-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -4.5 A, -20 V, 0.05 ohm, -2.7 V, -600 mV


SI9433BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI9433BDY-T1-GE3
型号: SI9433BDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI9433BDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V
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型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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