SI2325DS-T1-GE3

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SI2325DS-T1-GE3概述

VISHAY  SI2325DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
Si2325DS 系列 150 V 1.2 Ohm 表面贴装 P 沟道 MOSFET - SOT-23-3 TO-236


Verical:
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2325DS-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V


SI2325DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

漏源极电压Vds -150 V

连续漏极电流Ids -690 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI2325DS-T1-GE3
型号: SI2325DS-T1-GE3
描述:VISHAY  SI2325DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -530 mA, -150 V, 1 ohm, -10 V, -4.5 V
替代型号SI2325DS-T1-GE3
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