SI4487DY-T1-GE3

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SI4487DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0165 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 5 W

输入电容Ciss 1075pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.55 mm

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4487DY-T1-GE3
型号: SI4487DY-T1-GE3
描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8.2A 8Pin SOIC N T/R

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