SI3460BDV-T1-E3

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SI3460BDV-T1-E3概述

VISHAY  SI3460BDV-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 8A, TSOP, 整卷

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


e络盟:
VISHAY  SI3460BDV-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 8A, TSOP, 整卷


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 6-Pin TSOP T/R


富昌:
单 N沟道 20 V 0.027 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - TSOP-6


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 6-Pin TSOP T/R


Newark:
# VISHAY  SI3460BDV-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 20 V, 0.023 ohm, 8 V, 1 V


SI3460BDV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

输入电容 860pF @10V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3460BDV-T1-E3
型号: SI3460BDV-T1-E3
描述:VISHAY  SI3460BDV-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 8A, TSOP, 整卷

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