VISHAY SI4431BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.8 A, -30 V, 0.023 ohm, -10 V, -1 V
The is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- .
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
针脚数 8
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds -30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.80 A, -7.50 A
上升时间 10 ns
下降时间 47 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 消费电子产品, Consumer Electronics, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4431BDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4431CDY-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI4431BDY-T1-E3和SI4431CDY-T1-GE3的区别 |
SI4431BDY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI4431BDY-T1-E3和SI4431BDY-T1-GE3的区别 |