SIR426DP-T1-GE3

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SIR426DP-T1-GE3概述

VISHAY  SIR426DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 40 V, 8.5 mohm, 10 V, 1.2 V

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 15.9A 8-Pin PowerPAK SO


Allied Electronics:
40V 30A 41.7W 10.5mohm @ 10V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 15.9A 8-Pin PowerPAK SO


富昌:
单 N-沟道 40 V 12.5 mOhm 9.3 nC 41.7 W 表面贴装 Mosfet - PowerPAK SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 15.9A 8-Pin PowerPAK SO


Newark:
# VISHAY  SIR426DP-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 40 V, 10.5 mohm, 10 V, 2.5 V


儒卓力:
**N-CH 40V 30A 10,5mOhm PPSO-8 **


SIR426DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0105 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 4.8 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

输入电容Ciss 1160pF @20VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 4800 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR426DP-T1-GE3
型号: SIR426DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SIR426DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 40 V, 8.5 mohm, 10 V, 1.2 V

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