SI4835DDY-T1-E3

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SI4835DDY-T1-E3概述

VISHAY  SI4835DDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 13A, SOIC

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


贸泽:
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8


e络盟:
VISHAY  SI4835DDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 13A, SOIC


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
-30 V 13 A 18 Mohm 漏源导通电阻 当10 V时 43 nC Qg SO-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; 5.6W; SO8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4835DDY-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -13 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -3 V


SI4835DDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 5.6 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids -13.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4835DDY-T1-E3
型号: SI4835DDY-T1-E3
描述:VISHAY  SI4835DDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 13A, SOIC
替代型号SI4835DDY-T1-E3
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