SIB452DK-T1-GE3概述
VISHAY SIB452DK-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 190 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 1.5 V
The is a 190VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for boost converter applications.
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- New thermally enhanced PowerPAK® package
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- Small footprint area
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- Low ON-resistance
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SIB452DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
额定功率 13 W
针脚数 6
漏源极电阻 1.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 13 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 190 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 135pF @50VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-75
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-75
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIB452DK-T1-GE3
型号： SIB452DK-T1-GE3
描述：VISHAY SIB452DK-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 190 V, 1.8 ohm, 4.5 V, 1.5 V