SI4894BDY-T1-GE3

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SI4894BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4894BDY-T1-GE3
型号: SI4894BDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4894BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 12A
替代型号SI4894BDY-T1-GE3
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