SI7309DN-T1-GE3

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SI7309DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.146 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.2 W

漏源极电压Vds -60.0 V

连续漏极电流Ids -8.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7309DN-T1-GE3
型号: SI7309DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7309DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, P沟道, -8 A, -60 V, 0.092 ohm, -10 V, -3 V 新

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