VISHAY SI7655ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -20 V, 0.003 ohm, -10 V
The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and battery switch applications.
- .
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 0.75mm profile
- .
- 100% Rg tested
- .
- 100% UIS tested
- .
- Halogen-free
- .
- -50 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.003 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 57 W
输入电容Ciss 6600pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 4800 mW
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
高度 0.78 mm
封装 PowerPAK-1212-8
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7655ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7655DN-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI7655ADN-T1-GE3和SI7655DN-T1-GE3的区别 |