SI4401DDY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4401DDY-T1-GE3概述

VISHAY SI4401DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -16.1 A, -40 V, 0.018 ohm, -4.5 V, -1.2 V

The is a 40VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and POL applications.

SI4401DDY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.018 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 6.3 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4401DDY-T1-GE3

型号： SI4401DDY-T1-GE3

描述：VISHAY SI4401DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -16.1 A, -40 V, 0.018 ohm, -4.5 V, -1.2 V

替代型号SI4401DDY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4401DDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SI4401BDY-T1-E3 威世	类似代替	SI4401DDY-T1-GE3和SI4401BDY-T1-E3的区别
IRF7240TRPBF 英飞凌	功能相似	SI4401DDY-T1-GE3和IRF7240TRPBF的区别
IRF7240PBF 英飞凌	功能相似	SI4401DDY-T1-GE3和IRF7240PBF的区别