








N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
欧时:
### N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
贸泽:
MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 9.1A 3-Pin2+Tab DPAK
Allied Electronics:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDSON 0.025Ohm; ID 25A; TO-252; PD 50W; VGS +/-20V; -55
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 9.1A 3-Pin2+Tab DPAK
富昌:
SUD23N06 系列 N沟道 60 V 0.031 Ohm 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 9.1A 3-Pin2+Tab DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 9.1A 3-Pin2+Tab DPAK
Newark:
# VISHAY SUD23N06-31-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 21.4 A, 60 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 31.25 W
阈值电压 3 V
输入电容 670pF @25V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 9.10 A
上升时间 250 ns
下降时间 68 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SUD23N06-31-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
STD20NF06T4 意法半导体 | 功能相似 | SUD23N06-31-GE3和STD20NF06T4的区别 |
STD20NF06LT4 意法半导体 | 功能相似 | SUD23N06-31-GE3和STD20NF06LT4的区别 |