SI7123DN-T1-GE3

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SI7123DN-T1-GE3概述

MOSFET 20V 25A 52W 10.6mohm @ 4.5V

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


贸泽:
MOSFET 20V 25A 52W 10.6mohm @ 4.5V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Allied Electronics:
20V 25A 52W 10.6mohm @ 4.5V


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
Si7123DN Series P-Channel 20 V 0.0106 Ohm SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SI7123DN-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -25 A, -20 V, 18.9 mohm, 8 V, -1 V


SI7123DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0189 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.7 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -25.0 A

上升时间 88 ns

输入电容Ciss 3729pF @10VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7123DN-T1-GE3
型号: SI7123DN-T1-GE3
描述:MOSFET 20V 25A 52W 10.6mohm @ 4.5V

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