SI4425BDY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4425BDY-T1-E3概述

VISHAY SI4425BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mV

The is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

.: Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

SI4425BDY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.01 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -11.4 A

上升时间 13 ns

下降时间 53 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用消费电子产品, Consumer Electronics, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4425BDY-T1-E3

型号： SI4425BDY-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI4425BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mV

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