SIA421DJ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIA421DJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.056 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.5 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -12.0 A

输入电容Ciss 950pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

高度 0.75 mm

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA421DJ-T1-GE3

型号： SIA421DJ-T1-GE3

描述：VISHAY SIA421DJ-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 12A, SC-70

替代型号SIA421DJ-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIA421DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
IRFHS9301TRPBF 英飞凌	功能相似	SIA421DJ-T1-GE3和IRFHS9301TRPBF的区别

型号/品牌

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SIA421DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

IRFHS9301TRPBF

英飞凌

功能相似