VISHAY SI9407BDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.7 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V
The is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
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- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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- 100% Rg Tested
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- 100% UIS Tested
针脚数 8
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 5 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids -4.70 A
上升时间 70 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI9407BDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
BSO613SPVGHUMA1 英飞凌 | 功能相似 | SI9407BDY-T1-GE3和BSO613SPVGHUMA1的区别 |