SIS434DN-T1-GE3概述
VISHAY SIS434DN-T1-GE3 晶体管, N沟道
The is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for POL applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SIS434DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0063 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
阈值电压 2.2 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1530pF @20VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIS434DN-T1-GE3