SIA456DJ-T1-GE3

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SIA456DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 3.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.5 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 2.60 A

上升时间 25 ns

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA456DJ-T1-GE3
型号: SIA456DJ-T1-GE3
描述:VISHAY  SIA456DJ-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 2.6A, SC-70, 整卷

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