SI8410DB-T2-E1

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SI8410DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

阈值电压 850 mV

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 MicroFoot-4

外形尺寸

封装 MicroFoot-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI8410DB-T2-E1
描述:VISHAY  SI8410DB-T2-E1  场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4

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