SIA414DJ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIA414DJ-T1-GE3概述

VISHAY SIA414DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.009 ohm, 4.5 V, 800 mV

The is a 8VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.

.: New thermally enhanced PowerPAK® package

.: Small footprint area

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SIA414DJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.5 W

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 8 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 10 ns

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA414DJ-T1-GE3

型号： SIA414DJ-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SIA414DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 8 V, 0.009 ohm, 4.5 V, 800 mV

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替代型号SIA414DJ-T1-GE3

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SIA436DJ-T1-GE3 威世	类似代替	SIA414DJ-T1-GE3和SIA436DJ-T1-GE3的区别

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