






N 通道 MOSFET,TrenchFET® Gen IV,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
**Features:
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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**
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* 100% Rg and UIS Tested**
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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**
Applications:
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* Synchronous Rectification**
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* High Power Density DC/DC**
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* vrmS AND Embedded DC/DC
欧时:
### N 通道 MOSFET,TrenchFET® Gen IV,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
e络盟:
VISHAY SISA10DN-T1-GE3 MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, POWERPAK 12
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Newark:
# VISHAY SISA10DN-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1.1 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 39 W
阈值电压 1.1 V
输入电容 2425pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 10 ns
热阻 3.2℃/W RθJC
输入电容Ciss 2425pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 39 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 1212
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 1.12 mm
封装 1212
工作温度 -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant