SISA10DN-T1-GE3

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SISA10DN-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,TrenchFET® Gen IV,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Synchronous Rectification**

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* High Power Density DC/DC**

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* vrmS AND Embedded DC/DC


欧时:
### N 通道 MOSFET,TrenchFET® Gen IV,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SISA10DN-T1-GE3  MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, POWERPAK 12


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SISA10DN-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 1.1 V


SISA10DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0028 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 39 W

阈值电压 1.1 V

输入电容 2425pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 10 ns

热阻 3.2℃/W RθJC

输入电容Ciss 2425pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 39 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1.12 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SISA10DN-T1-GE3
型号: SISA10DN-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,TrenchFET® Gen IV,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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