SI3458BDV-T1-E3

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SI3458BDV-T1-E3概述

VISHAY  SI3458BDV-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 4.1A, TSOP

The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, LED backlight switch and DC-to-DC converter applications.

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100% Rg tested
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-55 to 150°C Operating temperature range

e络盟:
VISHAY  SI3458BDV-T1-E3.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 4.1A, TSOP


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R


富昌:
N-沟道 60 V 100 mOhm 7.1 nC 表面贴装 Mosfet - TSOP-6


Newark:
# VISHAY  SI3458BDV-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 4.1 A, 60 V, 0.082 ohm, 20 V, 3 V


SI3458BDV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.082 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 4.10 A

输入电容Ciss 350pF @30VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI3458BDV-T1-E3
型号: SI3458BDV-T1-E3
描述:VISHAY  SI3458BDV-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 4.1A, TSOP
替代型号SI3458BDV-T1-E3
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