VISHAY SI3458BDV-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 4.1A, TSOP
The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, LED backlight switch and DC-to-DC converter applications.
e络盟:
VISHAY SI3458BDV-T1-E3. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 4.1A, TSOP
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
富昌:
N-沟道 60 V 100 mOhm 7.1 nC 表面贴装 Mosfet - TSOP-6
Newark:
# VISHAY SI3458BDV-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 4.1 A, 60 V, 0.082 ohm, 20 V, 3 V
针脚数 6
漏源极电阻 0.082 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 4.10 A
输入电容Ciss 350pF @30VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
高度 1 mm
封装 TSOP
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
SI3458BDV-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI3458BDV-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI3458BDV-T1-E3和SI3458BDV-T1-GE3的区别 |