SIS454DN-T1-GE3

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SIS454DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.003 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

封装 PowerPAK-1212-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIS454DN-T1-GE3
型号: SIS454DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SIS454DN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 20 V, 0.003 ohm, 10 V, 1 V

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