SI4156DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4156DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0048 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 24.0 A

上升时间 20 ns

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4156DY-T1-GE3

型号： SI4156DY-T1-GE3

描述：VISHAY SI4156DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 30 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.2 V

替代型号SI4156DY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4156DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
FDS6676AS 飞兆/仙童	功能相似	SI4156DY-T1-GE3和FDS6676AS的区别
FDS8896 飞兆/仙童	功能相似	SI4156DY-T1-GE3和FDS8896的区别
IRF8113PBF 英飞凌	功能相似	SI4156DY-T1-GE3和IRF8113PBF的区别