SI4825DDY-T1-GE3

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SI4825DDY-T1-GE3概述

VISHAY  SI4825DDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -14.9 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V

The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and notebook adaptor switch applications.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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Halogen-free
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-55 to 150°C Operating temperature range
SI4825DDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.01 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.7 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4825DDY-T1-GE3
型号: SI4825DDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4825DDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -14.9 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -1.4 V
替代型号SI4825DDY-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI4825DDY-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

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