N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
欧时:
### N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
e络盟:
VISHAY SIR496DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 35A, SOIC, 整卷
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 25.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SIR496DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 20 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.5 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.0058 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 1570pF @10VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 27.7 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
长度 5.99 mm
宽度 5 mm
高度 1.12 mm
封装 SOIC
工作温度 -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free