SI4384DY-T1-E3

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SI4384DY-T1-E3概述

Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8Pin SOIC N T/R

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
MOSFET; N-Channel REDUCED QG, Fast Switching


富昌:
单 N沟道 30 V 8.5 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8


Newark:
# VISHAY  SI4384DY-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 15 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 V


SI4384DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.007 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.47 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

上升时间 13 ns

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1470 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4384DY-T1-E3
型号: SI4384DY-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8Pin SOIC N T/R

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