SI4436DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4436DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.036 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

输入电容Ciss 1100pF @30VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4436DY-T1-E3

型号： SI4436DY-T1-E3

描述：VISHAY SI4436DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 8A, SOIC

替代型号SI4436DY-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4436DY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SI4436DY-T1-GE3 威世	类似代替	SI4436DY-T1-E3和SI4436DY-T1-GE3的区别

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