SI7106DN-T1-GE3

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SI7106DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0062 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 19.5 A

上升时间 15 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7106DN-T1-GE3
型号: SI7106DN-T1-GE3
描述:N通道20 -V (D -S )快速开关MOSFET N-Channel 20-V D-S Fast Switching MOSFET

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