SIA432DJ-T1-GE3概述
VISHAY SIA432DJ-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 10.1A, SC-70, 整卷
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
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- Thermally enhanced PowerPAK® package
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- Small footprint area
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SIA432DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.0158 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 10.1 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 800pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
高度 0.75 mm
封装 SC-70
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
在线购买SIA432DJ-T1-GE3
型号： SIA432DJ-T1-GE3
描述：VISHAY SIA432DJ-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 10.1A, SC-70, 整卷
替代型号SIA432DJ-T1-GE3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIA432DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFHS8342TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SIA432DJ-T1-GE3和IRFHS8342TRPBF的区别 |