VISHAY SI7465DP-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.051 ohm, 20 V, -3 V
The is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile. Used in active clamp in intermediate DC/DC power supplies.
e络盟:
VISHAY SI7465DP-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5A, SOIC
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Allied Electronics:
SI7465DP-T1-E3 P-channel MOSFET Transistor, 3.2 A, 60 V, 8-Pin SOIC
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
单 P沟道 60 V 64 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK SO-8
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Newark:
# VISHAY SI7465DP-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, 10 V, -3 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.051 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -60.0 V
连续漏极电流Ids -5.00 A
上升时间 9 ns
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
长度 5.99 mm
高度 1.04 mm
封装 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
SI7465DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7465DP-T1-GE3 威世 | 完全替代 | SI7465DP-T1-E3和SI7465DP-T1-GE3的区别 |