SI7465DP-T1-E3

SI7465DP-T1-E3图片1
SI7465DP-T1-E3图片2
SI7465DP-T1-E3图片3
SI7465DP-T1-E3图片4
SI7465DP-T1-E3图片5
SI7465DP-T1-E3图片6
SI7465DP-T1-E3概述

VISHAY  SI7465DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.051 ohm, 20 V, -3 V

The is a -60V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile. Used in active clamp in intermediate DC/DC power supplies.

.
Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

e络盟:
VISHAY  SI7465DP-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 5A, SOIC


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Allied Electronics:
SI7465DP-T1-E3 P-channel MOSFET Transistor, 3.2 A, 60 V, 8-Pin SOIC


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 P沟道 60 V 64 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - PowerPAK SO-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7465DP-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -3.2 A, -60 V, 0.051 ohm, 10 V, -3 V


SI7465DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.051 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -60.0 V

连续漏极电流Ids -5.00 A

上升时间 9 ns

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7465DP-T1-E3
型号: SI7465DP-T1-E3
描述:VISHAY  SI7465DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -60 V, 0.051 ohm, 20 V, -3 V
替代型号SI7465DP-T1-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI7465DP-T1-E3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SI7465DP-T1-GE3

威世

完全替代

SI7465DP-T1-E3和SI7465DP-T1-GE3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台