SI3440DV-T1-E3概述
VISHAY SI3440DV-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 150 V, 0.31 ohm, 10 V, 4 V
The is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for low power DC-to-DC converter applications.
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- PWM optimized for fast switching in small footprint
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
SI3440DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.31 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.14 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 10 ns
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
外形尺寸
封装 TSOP
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI3440DV-T1-E3
型号： SI3440DV-T1-E3
描述：VISHAY SI3440DV-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 150 V, 0.31 ohm, 10 V, 4 V
替代型号SI3440DV-T1-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI3440DV-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |