










VISHAY SI2325DS-T1-E3 场效应管, P通道, MOSFET, -150V, 690MA, TO-236
The is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp circuits in DC-to-DC power supplies.
欧时:
### P 通道 MOSFET,100V 至 400V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
e络盟:
VISHAY SI2325DS-T1-E3. 晶体管, P沟道
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
单通道 P 沟道 150 V 1.2 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
Newark:
# VISHAY SI2325DS-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -690 mA, -150 V, 1.3 ohm, 6 V, -4.5 V
针脚数 3
漏源极电阻 1.3 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 750 mW
漏源极电压Vds -150 V
连续漏极电流Ids -690 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.75 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 TO-236
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2325DS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2325DS-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI2325DS-T1-E3和SI2325DS-T1-GE3的区别 |